APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦
    碳化硅MOS管
    碳化硅二极管
    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    MOSFET驱动光耦
    APV1122
    APV1123
    APV1124
    APV1125
    光纤耦合器
    光耦系列晶圆

光耦的工作和应用!

发表时间:2023-03-03 17:33作者:国产光耦厂家

  众所周知,光耦合器的内部结构由LED和光电晶体管组成。LED通过串联电阻连接到输入电源。而光电晶体管与输出电源和负载连接,如下图所示。


  当电流流过LED时,它会发出红外红外光。光的强度取决于电源电压和电流。串联电阻用于限制流过LED的电流。红外光照射到光电晶体管上。光电晶体管将光转换为电流,控制其发射器和集电极之间的电流。电流量取决于光的强度,而光强度取决于LED的电流供应。因此,低压侧的输入电流可以在没有任何电气连接的情况下控制高压电路中的电流。


  饱和模式


  在饱和模式下,光耦合器用作具有ON状态和OFF两种状态的开关。在ON状态下,它允许全电流通过它,而OFF状态完全阻止电流。此模式用于使用微控制器或数字逻辑电路打开/关闭高功率电路。

光耦继电器的象征

  线性或主动模式


  在线性或有源模式下,输出电流与入射光的强度成正比。其中,光强度取决于输入电流。该模式用作放大器,其中输入电流被放大到光电晶体管的输出中。


  光耦合器的特点


  以下特性决定了光耦合器的性能。


  隔离电压


  它是其输入和输出锻炼之间可能存在的最大电压或电位差,导致绝缘损坏。它的计算方式为V有效值在50%左右的中等湿度下。


  响应时间是输入更改后更新输出所花费的时间。它显示了光耦合器改变其输出的速度。响应时间取决于光耦合器中使用的光电传感器类型。


  电流传输比率点击率


  CTR或电流传输比是光耦合器输出电流与输入电流的比值。它还取决于光电传感器的类型。


  共模抑制CMR


  光耦合器的光电传感器能够抑制输入和输出之间的任何快速噪声瞬变。它也被称为共模瞬态抗扰度CMTI或共模瞬态抑制CMTR。光耦合器确实为直流提供高压隔离,并在其输入和输出之间提供低频隔离。但是,由于输入和输出之间的电容,突然的电压浪涌会导致电流在输入和输出之间流动,并在系统中产生噪声。

Phototransistor-Optocoupler-1.jpg

  应用


  光耦合器的主要用途是高压电路和低压电路之间的电气隔离。


  它用于将数字逻辑电路与高压电路接口。


  它用于电源转换器,例如交流到直流。


  它用于电源逆变器。


  它用于调光器。


  它用于控制电动机。


  它用于监控高压电路。


  先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立,以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品,研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业,先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线,具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统.智能电表.自动检测设备.电信设备.测量仪器.医疗设备.通信设备.PC端.安防监控.O/A设备.PLC控制器.I/O控制板等,依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势,先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕,逐步提升产品的技术附加值,扩充技术含量更高的产品线。

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