APSEMI
先进光半导体
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先进光半导体
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅光耦
    碳化硅MOS管
    碳化硅二极管
    碳化硅晶圆
  • ------通用型光耦继电器
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    MOSFET驱动光耦
    APV1122
    APV1123
    APV1124
    APV1125
    光纤耦合器
    光耦系列晶圆

电动汽车IGBT需要怎样的光耦?

发表时间:2023-03-09 15:57作者:光耦选型工程师

  汽车内部存在电池管理、空调和牵引逆变器等各种子系统,工作条件不一,对功率器件及其驱动要求不尽相同。同时,充电桩有交/直流之分,充电功率/速度也不相同。这些不同的子系统和电源系统都会广泛使用光耦器,来进行隔离通信、驱动以及反馈。光耦在传统的工业应用中已非常成熟,那么在电动汽车/充电桩这些新兴应用当中,又有怎样的发展趋势和新的性能需求呢?


  光耦器件分为三大类:数字光耦、栅极驱动器和隔离放大器。这三类光耦的基本功能都是提供信号隔离。数字光耦单纯实现信号隔离。栅极驱动器在此基础上增加了电流驱动能力,从而可对IGBT和MOSFET(包括最新的SiC和GaN)等功率器件的栅极进行驱动。隔离放大器用于反馈通路,将检测到的电压、电流等信号返回给MCU进行处理。


  光耦由LED、隔离介质和光敏二极管三部分组成,构成发光、传输和感光三个环节。光耦原理简单,但按照爬电距离、电气间隙和隔离电压等安规条件划分却是分门别类。


  光耦的应用非常广泛,尤其是在电力电子领域。电动汽车和充电桩等新兴产业,为光耦也带来不小的机会。


  汽车电子中一个趋势是把电子部分和轮毂集成在一起,通过CAN总线或电力线实现直接驱动,这样可以避免物理传动的损耗。这种构件通常很复杂且高成本。这样,半导体器件需要耐高温、耐振动。对于光耦这种硅基半导体材料,还是有很大挑战。博通一类(Grade 1)光耦目前也只是达到125℃,因此对于高转动(也就高温)电机的驱动,需要采用冷却。

IGBT驱动光耦在汽车上的应用

  电动汽车中电池管理、空调系统、牵引逆变器等不同子系统的要求不一样,比如空调的工作温度不太高;而牵引逆变器由于在发动机里,耐受温度需要比较高;电池管理在后端,温度也不会太高。因此,像DC/DC充电器一般采用MOSFET作为功率器件,也就采用MOSFET驱动。另外其工作温度也不一样,功率容量/驱动电流通常也不太大。而牵引逆变器要求功率大,要有保护和反馈等功能,因此驱动就不同。另外,电池管理总线上做电流监控即可,而牵引逆变器就会复杂一些。


  在充电桩部分,从产业链角度看,即是要把工厂生产的电能传输到用户汽车中储存并使用。充电桩可简单划分为交流充电和直流充电两种。交流充电是通过车载充电器,将交流变为直流,来给汽车充电。这种充电方式有车载充电器体积限制和充电功率有限(充电时间长)这两个缺点。直流充电则是直接用直流对电池充电,它通常以固定形式出现,因此允许大功率的快速充电。


  “充电桩有交流直流之分,对应汽车则有交流充和直流充之分,各有利弊。交流充电利用车载AC/DC转换器将交流转换成直流,给电池充电。直流充电则一般是大功率充电,在车体外有固定的充电器,功率较大、充电效率较高、充电较快。超级充电站则不外乎是更大的功率,可缩短充电时间。电动汽车发展一来是要延伸续航里程,二来是要优化充电站距离。


  “另外,不管是交流充电还是直流充电,电池所能接收的都是直流电。交流充电需要汽车具有车载充电器,一来体积/功率容量受限制(充电时间长),二来必须满足车规要求。而直流充电功率就可以非常大(转换在外部),充电时间可以大大缩短。但是,其缺点是充电器不能随车一起跑,只能到有充电桩的地方去充电,而不能随时插到电网上去充电。


  对于SiC MOSFET/GaN器件,它们的驱动特性不同,比如工作电压、开关速度等等不一样。同时,对于这些新的功率器件也开发出了针对性的参考设计。


  GaN、SiC等新功率器件的优点是,可容许更高的开关频率,结温耐受高。因此对应于光耦器件的要求,即工作频率要快,驱动电流要大。另外,它们之间的工作电压和保护特性(如欠压锁定、退饱和)等也不一样。因此需要选择不同的光耦器件来驱动。


  光耦中的挑战,一是高集成度(通道数;受绝缘要求限制),二是LED上的突破(开发活化层在下、向下发光的LED,从而减小体积)。


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