光耦继电器适用特性介绍！

　　光耦继电器是一种常见的电子元器件，适用于低电压、小电流的控制电路中，它的主要特性参数包括以下几个方面：

　　最大输出电流：指光耦继电器能够输出的最大电流值，通常以安培（A）为单位表示。

　　输出电压：指光耦继电器能够输出的最大电压值，通常以伏特（V）为单位表示。

　　传播延迟时间：指光耦继电器输出信号的传播时间，通常以纳秒（ns）为单位表示。

　　最大传播延迟差：指光耦继电器在输出信号时，两个相邻的输出状态之间的最大差值，通常以纳秒（ns）为单位表示。

　　共模抑制比（CMR）：指光耦继电器在共模输入时的抑制能力，通常以分贝（dB）为单位表示。

　　工作范围：指光耦继电器能够工作的最小电压和最大电压值，通常以伏特（V）和安培（A）为单位表示。

　　反馈速度：指光耦继电器对输入信号的反馈速度，通常以纳秒（ns）为单位表示。

　　负载电容：指光耦继电器所需的负载电容，通常以法拉（F）为单位表示。

　　需要注意的是，光耦继电器的参数指标会随着应用场景和工作条件的不同而有所变化，因此在选择光耦继电器时，需要根据具体的应用需求和参数要求进行选择。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。