光耦合器电路设计规格

　　光耦合器在需要中间相互作用的电路之间提供隔离。为了做出良好的电路设计，我们必须了解光耦合器的所有主要参数并了解规格。

　　电路设计：光耦合器的主要参数

　　绝对最大额定值

　　这些参数是设备功能的基础。它们定义了允许的操作限制。

　　工作和存储温度：设备（供电）标准工作的环境温度，空间应用范围为-55°C至+125°C。存储温度是指在空间环境中支持组件未通电时的温度范围-65°C至+150°C。

　　功耗：设备可以安全耗散的能量量。功率随着环境温度的升高而降低，通常在标称环境温度下达到最大值。光耦合器通过发光二极管和光电晶体管耗散功率，发挥LED正向电流和正向电压和光电晶体管集电极电流、集电极到发射极电压的作用。

　　隔离电压：包括可在光耦合器输入和输出之间施加的最大电压。它由有限时间内的特定输入信号定义，是指器件的隔离电阻容量。

　　正向电流（IF）：LED允许的最大电流，在限制的功耗范围内。

　　反向电压（VR）：LED允许的最大反向电压。如果反向电压超过，则反向电流将在设备中流动。这偶尔可能会降低甚至破坏。

　　集电极电流（IC）：当光电晶体管被LED激活时，可以流过光电晶体管的最大电流。和以前一样，必须考虑最大功耗。

　　集电极至发射极电压（VCE）：LED不发射时光电晶体管集电极和发射极之间的最大差分电位（IF=0，IB=0）。

　　发射极到集电极电压（VEC）：光电晶体管允许的最大反向电压。

　　正向电压：电流流过LED时的差分电位（发射极侧）。增加正向电流或环境温度下降会导致正向电压增加。

　　反向电流（IR）：向LED施加反向电压（在最大额定值内）时的漏电流泄漏。请注意，该值将随着反向电压和环境温度的增加而增加。

　　关断状态集电极电流（IC（OFF））：LED不发射时集电极的漏电流（IF=0，IB=0）。该值将随着电源和环境温度的增加而增加。

　　集电极饱和电压（VCE（SAT））：描述de当光电晶体管处于饱和模式时将压降的最大电压。

　　上升时间和下降时间（tr，tf）：光耦合器的输出信号需要时间切换到开关状态。上升时间表示输出信号从10%上升到90%的时间，下降时间表示输出信号下降90%到10%的时间。

　　传播延迟时间（tp）：定义光耦合器输出响应输入信号变化所需的时间。

　　先进光半导体由南方先进联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方先进为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家专业从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，先进光半导体拥有先进的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段先进光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于：蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，先进光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

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